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国产、进口等静压石墨材料

  电子体例打算基本篇 第3版 [庹先邦,余小平,奚大顺 编著] 2014年版

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  上一篇:更便捷更高效,Han-Modular电源和信号的新型樊篱模块问市

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣告,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合正在一个小型PowerPAIR®3.3 mmx3.3 mm封装中。Vishay SiliconixSiZF300DT普及了功率密度和功用,同时有助于裁汰元器件数目,简化打算,实用于计划和通讯操纵功率转换。日前宣布器件中的两个MOSFET采用半桥装备内部毗邻。通道1 MOSFET正在10 V

  “颠末众年的开荒,咱们很快活将SiC身手增添到Alpha Omega的产物组合中。”公司董事David Sheridan说,目前公司现有的产物组合还搜罗Si MOSFET和IGBT以及650V GaN。

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  三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET,具有低功耗和高容限等特征。整个来说,结型场效应晶体管(JFET)掺杂身手可低落开闭损耗和导通电阻,从而实行了1450mΩ内阻。与行使通例的IGBT比拟,功耗低落了约85%。据称,通过低落镜像电容(MOSFET组织中栅极和漏极之间的杂散电容Crss),自导通容差比逐鹿敌手的产物普及了14倍,于是能够实行火速的开闭操作,有助于裁汰开闭损耗。低落的开闭功率损耗之后能够选拔更高载频的功率半导体,散热器可实行小型化和简化,以及诸如电抗器之类的外围组件的小型化,从而有助于低落所有电源体例的本钱和尺寸。该公司显露,新系列产物能够助助裁汰须要高压转换的小型电源体例的功耗,比方电动汽车

  免费申请评测:欧时电子(RS Components)树莓派3来袭,待你游玩带你飞

  半导体处置计划供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣告推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受接待的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产物;新款HIP2210供应三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器打算。HIP2211和HIP2210极度实用于48V通信电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产物扎实耐用,可为锂离子电池供电的家用和户外产物、水泵及冷却电扇中的48V电机驱动器供电。HIP221x驱动器专为苛苛处事条目下的牢靠运转而打算,其高速、高压HS引脚可继承高达-10V的不断电压,并以50V/ns速率转换。扫数的欠压偏护

  高牢靠性、减削空间的降压/反激式开闭IC适合400 VDC电动汽车操纵

  Littelfuse全新800V固态继电器问市,可正在105 ºC下巩固处事

  站点闭连:分立器件转换器稳压稳流数字电源驱动电源模块电池收拾其他身手搜集通讯消费电子电源打算测试与偏护逆变器限定器变压器电源百科电源习题与教程

  深耕于高压集成电途高能效功率转换规模的著名公司 Power Integrations 即日宣布已通过AEC-Q100认证的新款LinkSwitch™-TN2开闭IC,新器件适合降压或非间隔反激式操纵。新款汽车级LinkSwitch-TN2IC采用750 V集成MOSFET,可为毗邻到高压母线的电动汽车子体例供应粗略牢靠的电源,这些子体例搜罗HVAC、恒温限定、电池收拾、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机体例。这种外外贴装器件不须要散热片,只须要很少的外围元件,况且占用的PCB面积极度小。7 W(反激式)/360 mA(降压式)LinkSwitch-TN2具有60

  环球著名半导体例作商ROHM(总部位于日本京都邑)开荒出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,极度实用于搜罗主机逆变器正在内的车载动力总成体例和工业修造的电源。关于功率半导体来说,当导通电阻低落时短途耐受时代※2就会缩短,两者之间存正在着冲突量度相闭,于是正在低落SiC MOSFET的导通电阻时,奈何统筹短途耐受时代向来是一个挑衅。此次开荒的新产物,通过进一步更始ROHM独有的双沟槽组织※3,改正了二者之间的冲突量度相闭,与以往产物比拟,正在不损失短途耐受时代的条件下凯旋地将单元面积的导通电阻低落了约40%。况且,通过大幅裁汰寄生电容※4(开闭历程中的课题),与以往产物比拟,凯旋地将开闭损耗低落了约50%。于是,采用低导通电

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  SD6276 電流限定形式升壓轉換器 內置 15mΩ/10A/14V MOSFET

  -MOSFET 功耗低/减小车载充电器尺寸 /

  据外媒报道,即日,日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric Corporation)宣告推出N系列1200V碳化硅 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),该产物功率损耗低且自接通耐受性高,还能够助助低落功耗,实行电动汽车(EV)车载充电器、光伏电力体例等供电体例(须要转换高压)的小型化,产物样品将于本年7月发轫发货。(图片泉源:三菱电机)三菱电机还将正在大型交易展会上显现其新款N系列1200V SiC-MOSFET,搜罗将于11月16日至18日正在中邦上海举办的2020 PCIM Asia(上海邦际电力元件、可再生能源收拾博览会)进取行显现。产物特征:1、 低落功耗,实行供电体例的小型化

  擢升功率密度和功用,Vishay新款30 V MOSFET半桥功率级模块问市