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国产、进口等静压石墨材料

  正在高压大电流前提下举行开合行动时,器件开合会出现高dv/dt及di/dt,对驱动器电途出现影响,进步驱动电途的抗扰乱才力对编制牢靠运转至合主要,可通过以下形式实行:

  开合器件正在运转进程中存正在短途危急,装备适合的短途珍惜电途,能够有用淘汰开合器件正在利用进程中因短途而变成的损坏。与硅IGBT比拟,碳化硅MOSFET短途耐受光阴更短。

  2)碳化硅MOSFET:差别厂家碳化硅MOSFET对开合电压央求不尽相像:

  硅IGBT的继承退保和短途的光阴凡是大于10μs,正在安排硅IGBT的短途珍惜电途时,提倡将短途珍惜的检测延时和相适时间筑树正在5-8μs较为适合。

  根基半导体自立研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开合损耗小的特性,可消浸器件损耗,擢升编制出力,更适合利用于高频电途。正在新能源汽车电机掌管器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等周围有平常利用。

  采用数字断绝驱动芯片,能够抵达信号传输延迟50ns,而且具有比拟高的划一性,传输颤动小于5ns;

  央求合断电压值限制-5V~-15V,客户遵循需求选取合凑巧,常用值有-8V、-10V、-15V;

  平常境况下,硅IGBT的利用开合频率小于40kHZ,碳化硅MOSFET推选利用开合频率大于100kHz,利用频率的进步使得碳化硅MOSFET央求驱动器供应更低的信号延迟光阴。碳化硅MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns,2元彩票传输延迟颤动小于20ns,可通过以下形式实行:

  凡是碳化硅MOSFET模块短途继承才力小于5μs,央求短途珍惜正在3μs以内起效用。采用二极管或电阻串检测短途,短途珍惜最短光阴节制正在1.5μs支配。

  总之,比拟于硅IGBT,碳化硅MOSFET正在擢升编制出力、功率密度和任务温度的同时,看待驱动器也提出了更高央求,为了让碳化硅MOSFET更好的正在编制中利用,须要给碳化硅MOSFET般配适合的驱动。

  该产物是青铜剑科技为根基半导体碳化硅 MOSFET 量身打制的处分计划,搭配根基半导体TO-247-3 封装碳化硅 MOSFET。

  看待全控型开合器件来说,装备适合的开通合断电压看待器件的安然牢靠具有主要旨趣: